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重置
V
V
BVGS[V]
重置
V
V
Vth[V]MIN
重置
V
V
Vth[V]MAX
重置
V
V
ID[A]
重置
A
A
R
DS (on)
Typ[mR]@10V
重置
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mR
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Typ[mR]@4.5V
重置
mR
mR
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Typ[mR]@2.5V
重置
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mR
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Typ[mR]@1.8V
重置
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mR
C
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重置
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重置
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Dual-N
确定
MOSFET
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Type
ESD
BVDSS[V]
BVGS[V]
Vth[V]
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DS (on)
Typ[mR]
C
iss
C
oss
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@10V
@4.5V
@2.5V
@1.8V
Part ID
Download
Type
ESD
BVDSS[V]
BVGS[V]
Vth[V]
ID[A]
R
DS (on)
Typ[mR]
C
iss
C
oss
C
rss
Package
@10V
@4.5V
@2.5V
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Type
Asymmetric-N
Dual-N
Dual-P
NMOS
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BV [V]
重置
V
V
IC@25°[A]
重置
A
A
IC@100°[A]
重置
A
A
VCE(sat) [V]
重置
V
V
Vth(V)
重置
V
V
IF@25℃ [A]
重置
A
A
IF@100℃ [A]
重置
A
A
VF [V]
重置
V
V
fmin [kHz]
重置
kHz
kHz
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重置
kHz
kHz
Package
Asymmetric-N
Dual-N
Technology
Asymmetric-N
Dual-N
Dual-P
Qualification
Asymmetric-N
Dual-N
tsc [us]
重置
us
us
确定
MOSFET
IGBT
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EPN
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Type
BV [V]
IC@25°[A]
IC@100°[A]
VCE(sat) [V]
Vth(V)
IF@25℃ [A]
IF@100℃ [A]
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fmin [kHz]
fmax [kHz]
Package
Technology
Qualification
Isc [A]
tsc [us]
EPN
Download
Type
BV [V]
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VCE(sat) [V]
Vth(V)
IF@25℃ [A]
IF@100℃ [A]
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